Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI2306BDS-T1-E3
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2306BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 3,5А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 19В; SMD; SOD123; одиночний діод
Діод: зенера; 500мВт; 19В; SMD; SOD123; одиночний діод

25,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
19В
Корпус:
SOD123
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 22000мкФ; 200ВDC; Вив: болтове; LNR
Конденсатор: електролітичний; 22000мкФ; 200ВDC; Вив: болтове; LNR

4425,37 грн

Виводи:
болтове
Висота:
140мм
Діаметр:
90мм
Ємність:
22мФ
Недоступний
Резистор: thick film; 14,7Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 14,7Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 120кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 120кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

10,96 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Індикатор температури; 60°C,66°C,71°C,77°C,82°C; °C,°F; 15x45мм
Індикатор температури; 60°C,66°C,71°C,77°C,82°C; °C,°F; 15x45мм

125,44 грн

Властивості вимірювальних приладів:
одноразового використання; самоклеючі
Діапазон вимірювання температури:
60°C; 66°C; 71°C; 77°C; 82°C
Одиниця вимірювання:
°C; °F
Розміри:
15x45мм
Недоступний
Резистор: thin film; 10,2Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 10,2Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 550В; 12А; Idm: 48А; 90Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 550В; 12А; Idm: 48А; 90Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт

162,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
125нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 76А; Idm: 260А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 76А; Idm: 260А; 51Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD