Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 10А; 380Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFH10N100P
485,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH10N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 1,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 380Вт
Струм стока: 10А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 300нс
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJH3QD
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJH3QD

4,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2,43МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 2,43МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 68,1Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 68,1Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

13,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 20А; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 20А; OUT: 1

6483,16 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
20А
Вхідна напруга:
48В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 291кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 291кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 10мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

2,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А

287,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
165,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC