1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 12А; 200Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 12А; 200Вт; TO220AB
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP12N50P
182,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 12А
Технологія: Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 300нс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 1,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,55 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА

1359,61 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,25А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 167мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 167мА

448,56 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,167А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Викрутка: ізольований-комплект; ізольований; 6-гранний ковпачок
Викрутка: ізольований-комплект; ізольований; 6-гранний ковпачок

6967,82 грн

Engineering PN:
629CS6VDETBI
Вид викрутки:
ізольований
Вид упаковки:
картоннa; коробка
Відповідність стандарту:
IEC 60900; VDE
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CRGCQ
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CRGCQ

0,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3

249,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

258,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт

952,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF

606,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO3PF