Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 14А; 400Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFH14N80P
481,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH14N80P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 61нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 720мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 400Вт
Струм стока: 14А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; Ufmax: 1,8В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; Ufmax: 1,8В

273,70 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 8,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 78А; 80В; 15мм
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 78А; 80В; 15мм

1239,23 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Електричний монтаж:
THT; ліфт
Кількість пін:
5
Колір корпусу:
сірий
Конденсатор: керамічний; 1,8нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 1,8нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805

1,88 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
1,8нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603

2,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247