Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 300В; 108А; Idm: 550А; SMPD

Name: Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 300В; 108А; Idm: 550А; SMPD
Brand: IXYS
SKU: MMIX1F210N30P3
Price: 1860.75 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: MMIX1F210N30P3

1860,75 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

MMIX1F210N30P3

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

268нКл

Корпус:

SMPD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

300В

Опір в стані провідності:

16мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

520Вт

Струм стока:

108А

Струм стоку в імпульсі:

550А

Технологія:

HiPerFET™; Polar3™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Час готовності:

250нс

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
96нКл

Корпус:
LF (MO235B similar)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
52нКл

Корпус:
DFN5

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 32А; Idm: 96А; 168Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
61нКл

Корпус:
LF (MO235B similar)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT23

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1нКл

Корпус:
SC70; SOT323

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Заряд затвора:
110нКл

Корпус:
D2PAK