Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002A-7
6,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002A-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,37Вт
Струм стока: 0,14А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

3,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,21кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 1,21кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 510кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 510кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1МОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 9,1МОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В

3,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 5В; SL-4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 5В; SL-4

5,07 грн

CTR@If:
130-260%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Осердя: феритовий; ELP; N87; 7400нГн; 21000мм3; 310мм2; 1шт.
Осердя: феритовий; ELP; N87; 7400нГн; 21000мм3; 310мм2; 1шт.

596,17 грн

Ефективний об'єм осердя (Ve):
21000мм3
Ефективний переріз осердя (Ae):
310мм2
Кількість в наборі/упаковці:
1шт.
Коефіцієнт індуктивності AL:
7400нГн
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл