Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 200В; 50А; 360Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: IXTP50N20P
171,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTP50N20P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 360Вт
Струм стока: 50А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 150нс
Недоступний
Резистор: thin film; 105Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 105Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Вентилятор: AC; 176x176x89мм; осьовий; 230ВAC; 535м3/г(±10%)
Вентилятор: AC; 176x176x89мм; осьовий; 230ВAC; 535м3/г(±10%)

5134,95 грн

Виводи:
конектори
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
Alveolate з пусковим конденсатором
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RN73R; 150В
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RN73R; 150В

2,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; PF; 200В
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; PF; 200В

0,37 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
M32; 1,5; IP68; нержавіюча сталь; HSK-INOX-HD-Pro
M32; 1,5; IP68; нержавіюча сталь; HSK-INOX-HD-Pro

3029,65 грн

Type of cable gland:
cable
Вживання кабельних аксесуарів:
харчова промисловість
Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247