Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 250В; 42А; 300Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: IXTP42N25P
134,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTP42N25P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 84мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 42А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Резистор: thin film; 9,1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 9,1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

10,96 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 47кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
47кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 160кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 160кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 3,24кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 3,24кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 4,64кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 4,64кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,1пФ
IC: перетворювач f/U; Ch: 1; 50мА; 6÷28ВDC; DIP14; 0,3%; -40÷85°C
IC: перетворювач f/U; Ch: 1; 50мА; 6÷28ВDC; DIP14; 0,3%; -40÷85°C

127,34 грн

Вихідний струм:
50мА
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP14
Лінійність:
0,3%
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 250В; 82А; 500Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 250В; 82А; 500Вт; TO3P

575,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 26А; 300Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 26А; 300Вт; TO247

266,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 38,5А; 417Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 38,5А; 417Вт; TO220AB

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 10А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 10А; 30Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT