Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,05кВ; 4А; 110Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: STP7N105K5
76,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: STP7N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1,05кВ
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 110Вт
Струм стока: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 10А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 10А

38,65 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість ліній:
4
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,6пФ
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 2А; Полюси: 1+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 2А; Полюси: 1+N

2559,56 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Кількість полюсів:
1+N
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; QFN28; PIC24; 8кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; QFN28; PIC24; 8кБSRAM

198,30 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; RTCC; watchdog; XLP
Інтерфейс:
ADC; I2C x2; IrDA; JTAG; PMP; PWM; SPI x2; UART x2
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Притискна пластина; 10÷60°C; 367x606x15мм; H: 15мм
Притискна пластина; 10÷60°C; 367x606x15мм; H: 15мм

29675,02 грн

Висота:
15мм
Робоча температура:
10...60°C
Розміри:
367x606x15мм
Тип вимірювальних аксесуарів:
притискна пластина
Недоступний
Резистор: thick film; 12,1Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -65÷150°C
Резистор: thick film; 12,1Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -65÷150°C

46,25 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
300шт.
Корпус - дюйм:
0603
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD