Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 9А; Idm: 50А; 625Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: APT13F120B
801,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT13F120B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 145нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 39; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 39; THT; 3A; 100V

115,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V

314,88 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм

2,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 42; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 42; SMT; straight

117,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Роз’єм: живлення DC; гніздо; роз'єм живлення; ES-50A; 50А; 1кВ
Роз’єм: живлення DC; гніздо; роз'єм живлення; ES-50A; 50А; 1кВ

254,69 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Застосування роз’ємів:
для систем зберігання енергії
Кількість пін:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 909кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 909кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
909кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3

249,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

258,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт

952,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF

606,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO3PF