Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 117А; Idm: 600А; 167Вт; PDFN56

Немає в наявності
Код товару: BXS045N10C
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: BXS045N10C
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: PDFN56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 167Вт
Струм стока: 117А
Струм стоку в імпульсі: 600А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 4,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 4,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

115,94 грн

Зовнішні розміри:
10,6x7,2x5,2мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Матеріал контакту:
AgPd/Au 0,2мкм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 5A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 5A/250ВAC

36,75 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
300000 цикли
Кількість пін:
4
Кількість режмів роботи:
1
Pliers: insulated; side,cutting; 140mm
Pliers: insulated; side,cutting; 140mm

1747,97 грн

Type of pliers:
ізольовані
Вид щипці:
бічне; для різання
Довжина щипців:
140мм
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; RSB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; RSB

563,23 грн

Зовнішні розміри:
29x15,7x12,5мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
8А
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Резистор: thin film; 741Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 741Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Кристал; 16МГц; SMD; 5x3,2x0,9мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm; -40÷85°C
Кристал; 16МГц; SMD; 5x3,2x0,9мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm; -40÷85°C

19,70 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8