Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 13А; 3,6Вт; PQFN5X6

Немає в наявності
Код товару: IRLH5030TRPBF
59,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: IRLH5030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Корпус: PQFN5X6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,6Вт
Струм стока: 13А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJU14F
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJU14F

3,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-427; CuBe; 0.8N; screw-in
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-427; CuBe; 0.8N; screw-in

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
4,5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,3мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 8м; вилка; 30ВDC; 4А; PUR; IP67
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 8м; вилка; 30ВDC; 4А; PUR; IP67

1203,12 грн

Довжина кабелю:
8м
Індикація:
LED
Кількість діодів:
2
Кількість пін:
3; 4
Недоступний
Резистор: thick film; 3,32Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,32Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
3,32Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 226кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 226кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,97 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; SMT; 3A; 250V

428,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 76А; Idm: 303А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 76А; Idm: 303А; 106Вт

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263