1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 13А; Idm: 52А; 39Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 13А; Idm: 52А; 39Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO13N10TS
27,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO13N10TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 39Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 52А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206

6,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В

2,81 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 625мА
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 625мА

915,49 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,625А
Вхідна напруга:
36...72В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thin film; 20Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 20Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø16x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø16x25мм; ±20%

105,80 грн

Висота:
25мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; 70Вт; DPAK

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,26А; 45Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,26А; 45Вт; DPAK; ESD

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; DPAK; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 450В; 0,6А; 3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 450В; 0,6А; 3Вт; SOT223; ESD

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
118нКл
Корпус:
D2PAK