1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 26А; Idm: 78А; 46Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 26А; Idm: 78А; 46Вт
Немає в наявності
Код товару: P26B10SLK-5071
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P26B10SLK-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 46Вт
Струм стока: 26А
Струм стоку в імпульсі: 78А
Тип транзистора: N-MOSFET
Дисплей: OLED; буквено-цифровий; 20x4; Вим: 98x60x10мм; синій; 1x16
Дисплей: OLED; буквено-цифровий; 20x4; Вим: 98x60x10мм; синій; 1x16

1577,55 грн

Вид дисплея:
буквено-цифровий
Вид контролера:
RS0010-TX
Висота знаку:
4,75мм
Інтерфейс:
6800
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; 1210; 300мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 27Ом; 1210; 300мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C

0,13 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
27Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 16,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 16,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 492В; 4,3А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 492В; 4,3А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ

48,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
440В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; 0201; 50мВт; ±1%; AF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; 0201; 50мВт; ±1%; AF; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V

340,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD