Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,3А; Idm: 13,2А; 1,5Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: WM10N33M
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM10N33M
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 3,3А
Струм стоку в імпульсі: 13,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перемикач: дверний; Поз: 2; DPDT; 0,1A/125ВAC; Вив: конектори
Перемикач: дверний; Поз: 2; DPDT; 0,1A/125ВAC; Вив: конектори

354,16 грн

Виводи:
конектори
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 150Вт; 90÷264ВAC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 150Вт; 90÷264ВAC; OUT: 1

3100,61 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
6,25А
Електричне під'єднування:
гніздо JST
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V

162,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 47,5кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В
Резистор: thick film; 47,5кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 66,7В; 31А; односпрямована; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 3кВт; 66,7В; 31А; односпрямована; SMC; Ch: 1; -65÷150°C

378,87 грн

Зворотна напруга макс.:
60В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 1,8мкс; SMB; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 1,8мкс; SMB; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 30А

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
10пФ
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
SMB
Наконечник: втулковий; ізольована; мідь; 0,14мм2; 6мм; луджений
Наконечник: втулковий; ізольована; мідь; 0,14мм2; 6мм; луджений

6,97 грн

Версія наконечника:
ізольована
Довжина кінцівки:
6мм
Електричний монтаж:
затискання
Колір:
сірий
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223