Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт

Немає в наявності
Код товару: IRLR120TRPBF
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRLR120TRPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,27Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 4,9А
Струм стоку в імпульсі: 31А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 130А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 130А

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V

182,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V

163,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм

56,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
внутрішній датчик температури; зміцнення входів ADC
Інтерфейс:
debugWIRE; I2C; SPI
Кількість в наборі/упаковці:
6000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C

117,21 грн

Виводи:
радіальні
Довжина відводів:
5,9мм
Допуск:
±5%
Ємність:
0,12нФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%

9,88 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD