Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 48А; Idm: 510А; 125Вт; Power56

Немає в наявності
Код товару: FDMS10C4D2N
149,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS10C4D2N
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 48А
Струм стоку в імпульсі: 510А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

2,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 68В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 68В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

606,94 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
68В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 294кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 294кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
294кОм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 112мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 112мА

190,70 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
112мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Лічильник: електронний; з блокуванням доступу; робочий час; LCD
Лічильник: електронний; з блокуванням доступу; робочий час; LCD

5485,94 грн

Батарея/акумулятор:
батарея CR2477 3В x1
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид входу 1:
NPN; PNP; від напруги
Вид лічильника:
з блокуванням доступу
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD