Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 480А; 60Вт; QFN5x6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DI100N10PQ
127,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI100N10PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; vertical
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; vertical

40,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
4
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; angled; 1x28
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; angled; 1x28

21,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
7,4мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Трансформатор: мережевий; 63ВА; 230ВAC; 12В; Вив: затискна планка
Трансформатор: мережевий; 63ВА; 230ВAC; 12В; Вив: затискна планка

0,00 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-4; PN EN 61558-2-6
Вторинна напруга 1:
12В
Зовнішні розміри:
72x110x72мм
Недоступний
Резистор: thin film; 55,6Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 55,6Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

1,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 10А; ізольований; Uном: 1кВ
Вимірювальний провід: одинарний; 10А; ізольований; Uном: 1кВ

1239,86 грн

Відповідність стандарту:
CAT III 1000V; EN 61010
Довжина проводу:
0,9144м
Ізоляційний матеріал проводу:
поліпропілен
Колір:
чорний
Резистор: thin film; 54,9Ом; SMD; 0805; 100мВт; 2x1,25x0,55мм
Резистор: thin film; 54,9Ом; SMD; 0805; 100мВт; 2x1,25x0,55мм

27,37 грн

Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Опір:
54,9Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD