Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 90А; 125Вт; PG-TDSON-8

Немає в наявності
Код товару: BSC060N10NS3GATMA1
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 90А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THR,THT; 3A

172,33 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Недоступний
Діод: TVS; 300Вт; 209В; 910мА; односпрямована; DO214AC,SMA; SMAJ
Діод: TVS; 300Вт; 209В; 910мА; односпрямована; DO214AC,SMA; SMAJ

2,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
188В
Корпус:
DO214AC; SMA
Резистор: thick film; 330Ом; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 66; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 66; THT; 3A; 250V

862,27 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 4,99кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 4,99кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V

83,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; FL; 4,4x4,4x2,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; FL; 4,4x4,4x2,8мм

17,49 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
4,4x4,4x2,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,7А; 500мВт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,7А; 500мВт; SuperSOT-3

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,9А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,9А; 54Вт; DPAK

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 2,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 2,6А; 2,5Вт; SO8

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 141Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 141Вт

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт

693,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
60нКл