Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 95А; Idm: 380А; 113,6Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB060N10HGS
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB060N10HGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 81,8нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 113,6Вт
Струм стока: 95А
Струм стоку в імпульсі: 380А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В

1,02 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 5N; plug-in; L: 40mm
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 5N; plug-in; L: 40mm

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,4мм
Довжина:
40мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 50В; CHA; ±0,5пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 50В; CHA; ±0,5пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Ємність:
3,2пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 6x16AWG; ПВХ; темно-сірий; 1000В
Провід; Alpha Essential C&C; 6x16AWG; ПВХ; темно-сірий; 1000В

275029,48 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878 (Type C)
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,5нГн; 900мА; R: 0,04Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,5нГн; 900мА; R: 0,04Ом; LQW; 180мм

4,43 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Індуктивність:
3,5нГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 5А; SMC; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 150А
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 5А; SMC; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 150А

32,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD