Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO220-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPP041N12N3GXKSA1
247,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 4,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 120А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: AC; 225x225x88,7мм; осьовий; 230ВAC; кульковий; IP44
Вентилятор: AC; 225x225x88,7мм; осьовий; 230ВAC; кульковий; IP44

0,00 грн

Виводи:
затискна планка
Вид вентилятора:
осьовий
Вид двигуна:
1-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Датчик: відстані; лазерний; на відбиття; Дальність: 50мм; PNP; IP67
Датчик: відстані; лазерний; на відбиття; Дальність: 50мм; PNP; IP67

24059,84 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Вид датчика:
лазерний
Вихід напруги:
0...5В
Вихід струму:
4...20мА
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110; 4G16мм2; неекранований; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110; 4G16мм2; неекранований; 300В,500В

982,01 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; I2C x2,SPI x2,USART; THT
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; I2C x2,SPI x2,USART; THT

84,90 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; CLC x4; CWG x2; NCO; PMD; PPS
Генератор вбудований:
20МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C

0,14 грн

Допуск:
±2%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB