1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO220-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPP048N12N3GXKSA1
197,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 4,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 120А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0603

1,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Кабель; 0,4м; AMC "мама",RP-SMA "папа"; кутовий,прямий
Кабель; 0,4м; AMC "мама",RP-SMA "папа"; кутовий,прямий

1444,50 грн

Вид кабелю:
1.13 mm Micro-cable
Довжина кабелю:
0,4м
Конструкція кабелю/переходу:
AMC "мама"; RP-SMA "папа"
Модель роз’єму:
кутовий; прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; THT; TO220; 30Вт; ±1%; 250В; -55÷150°C
Резистор: thick film; 10кОм; THT; TO220; 30Вт; ±1%; 250В; -55÷150°C

385,20 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±1%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; SMT; straight

97,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,2мм
Електричний монтаж:
SMT
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

47,52 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
0,2А
Недоступний
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: поліестровий; 330нФ; 400ВDC; 22,5мм; ±10%; MKT; THT
Конденсатор: поліестровий; 330нФ; 400ВDC; 22,5мм; ±10%; MKT; THT

9,06 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
22,5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB