1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 188А; Idm: 752А; 250Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 188А; Idm: 752А; 250Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMK036N12HGS
77,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK036N12HGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 144нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 188А
Струм стоку в імпульсі: 752А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 140Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 140Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ключ: комбінований; дюймове,двосторонній; 13/16"
Ключ: комбінований; дюймове,двосторонній; 13/16"

643,06 грн

Вид ключа:
двосторонній; дюймове
Розмір ключа - дюйм:
13/16"
Тип ключа:
комбінований
Недоступний
Резистор: thick film; 124кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 124кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thin film; 23,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 23,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Резистор: thin film; 33кОм; 1Вт; SMA; -55÷155°C; 15ppm/°C
Резистор: thin film; 33кОм; 1Вт; SMA; -55÷155°C; 15ppm/°C

41,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
33кОм
Потужність:
1Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V

14,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,1мм
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 12,9В; 33А; односпрямована; ±5%; DO221AC; TPSMA6L
Діод: TVS; 600Вт; 12,9В; 33А; односпрямована; ±5%; DO221AC; TPSMA6L

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
11В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB

148,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 5А; Idm: 32А; 70Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 5А; Idm: 32А; 70Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 110А; Idm: 440А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 110А; Idm: 440А

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12,6А; Idm: 80А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12,6А; Idm: 80А; 192Вт

297,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

475,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

230,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP