Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WML28N60C4
140,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML28N60C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 27,3нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 65А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,9пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 642Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 642Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thin film; 267Ом; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 267Ом; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%

1,76 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 200мм; PNP / NO; 50мА; ABS
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 200мм; PNP / NO; 50мА; ABS

10333,90 грн

Дальність:
0,2м
Довжина відводів:
2м
Зовнішні розміри:
75x17x95мм
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 65,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 65,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 38,3Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 38,3Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
38,3Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8,1А; Idm: 52А; 51Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8,1А; Idm: 52А; 51Вт; TO220F

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт

535,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
HIP247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 48А; 110Вт; I2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 48А; 110Вт; I2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
I2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247

463,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
74нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 36А; 77Вт; FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 36А; 77Вт; FTO-220AG (SC91)

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)