Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12,6А; Idm: 80А; 192Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP20NM60
297,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP20NM60
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 54нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,29Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 192Вт
Струм стока: 12,6А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: MDmesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; ERJP06J
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; ERJP06J

6,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Провід; JZ; JZ-500 HMH-C; 4G25мм2; LSZH; сірий; 300В,500В; CPR: Dca
Провід; JZ; JZ-500 HMH-C; 4G25мм2; LSZH; сірий; 300В,500В; CPR: Dca

1944,38 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; A/E/USART; 1,8÷3,6ВDC; SMD; UQFN28
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; A/E/USART; 1,8÷3,6ВDC; SMD; UQFN28

79,19 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
XLP
Генератор вбудований:
32кГц; 16МГц
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V

38,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

4,69 грн

Alias:
KAM21BCG2A471FT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Конденсатор: керамічний; 82пФ; 500ВDC; 2,79x2,79x2,59мм
Конденсатор: керамічний; 82пФ; 500ВDC; 2,79x2,79x2,59мм

497,34 грн

Ємність:
82пФ
Робоча напруга:
500В DC
Розміри корпусу:
2,79x2,79x2,59мм
Тип конденсатора:
керамічний
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT