Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 70А; 125Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: IPD70N12S311ATMA1
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD70N12S311ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 9,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 70А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 2,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 2,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

19,01 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
2,7нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 0805

2,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 370А; 400Вт; TOLL
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 370А; 400Вт; TOLL

186,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,22мкКл
Корпус:
TOLL
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1мФ; 10ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1мФ; 10ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%

10,96 грн

Висота:
10,2мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

6,97 грн

Alias:
KGM05ACG1H101JH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

10,77 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
56пФ
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252