Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 70А; Idm: 396А; 375Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: IRFS4115TRLPBF
79,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IRFS4115TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 12,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 70А
Струм стоку в імпульсі: 396А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1.15mm; GKS-101; CuBe; 0.8N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1.15mm; GKS-101; CuBe; 0.8N; push-in

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,15мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 3,9мкФ; 500ВDC; Ø10x10мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 3,9мкФ; 500ВDC; Ø10x10мм; ±20%

19,45 грн

Висота:
10мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
3,9мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; 0402; 100мВт; RK73B; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 47Ом; 0402; 100мВт; RK73B; 200ppm/°C

0,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
47Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 360кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 360кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Діод: перемикальний; SMD; 20В; 100мА; Ufmax: 1В; Ifsm: 300мА
Діод: перемикальний; SMD; 20В; 100мА; Ufmax: 1В; Ifsm: 300мА

2,34 грн

Зворотна напруга макс.:
20В
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1В
Струм в імпульсі макс.:
0,3А
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 10ВDC; SMD; C; 2312; ±5%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 10ВDC; SMD; C; 2312; ±5%; -55÷125°C

77,29 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
C
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8