1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,4А; Idm: 5,6А; 54Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,4А; Idm: 5,6А; 54Вт; TO220AB
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFBG20PBF
75,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 54Вт
Струм стока: 1,4А
Струм стоку в імпульсі: 5,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
LED; білий; SMD; 25÷27,8lm; 116°; 55мА; Лінза: прозора; 200мВт; 2,8В
LED; білий; SMD; 25÷27,8lm; 116°; 55мА; Лінза: прозора; 200мВт; 2,8В

4,94 грн

Голівка:
плоске
Кількість виводів:
2
Кількість діодів:
1
Колір діода LED:
білий
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 800мА; DIP7
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 800мА; DIP7

743,16 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
0,8А
Вхідна напруга:
24В DC
Захист:
протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RS73G; 150В
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RS73G; 150В

0,96 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: metal oxide; 22Ом; THT; 2Вт; ±5%; 350В; Ш0,7x35мм; осьові
Резистор: metal oxide; 22Ом; THT; 2Вт; ±5%; 350В; Ш0,7x35мм; осьові

3,07 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
4,2мм
Довжина:
11мм
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В; -55÷125°C

0,77 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 22,1Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В
Резистор: thick film; 22,1Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 13,2А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 13,2А

126,08 грн

Alias:
SCDV-THR 3.81/04/180F 3.2SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
25,1мм
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А

287,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
165,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC