Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDN537N
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDN537N
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,4нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
LED; червоний; SMD; PLCC2; 5÷8lm; 1,6÷2,4ВDC; 3,5x2,8x0,8мм; 120°
LED; червоний; SMD; PLCC2; 5÷8lm; 1,6÷2,4ВDC; 3,5x2,8x0,8мм; 120°

3,12 грн

Голівка:
плоске
Довжина хвилі λd:
624нм
Колір діода LED:
червоний
Корпус:
PLCC2
Connector: RJ45; data transfer; PIN: 8; Cat 5; shielded,EMI; 8p8c
Connector: RJ45; data transfer; PIN: 8; Cat 5; shielded,EMI; 8p8c

115,94 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
паяння
Категорія Ethernet:
Cat 5
Кількість пін:
8
Недоступний
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

3,09 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SOT23-5; 7SZ; -40÷85°C; 2мкА
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SOT23-5; 7SZ; -40÷85°C; 2мкА

5,07 грн

Вид затвору:
NAND
Кількість виходів:
1
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOT23-5
Недоступний
Резистор: thin film; 249Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 249Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: шунт; 0,4мОм; SMD; 9Вт; ±1%; -65÷170°C; 2500шт.
Резистор: шунт; 0,4мОм; SMD; 9Вт; ±1%; -65÷170°C; 2500шт.

24,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
2500шт.
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8