1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO263

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO263
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMM20N20JN
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM20N20JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,1нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 110нс
Недоступний
Провід: стрічковий; кругла; 1,27мм; тросик; Cu; неекранований; ПВХ
Провід: стрічковий; кругла; 1,27мм; тросик; Cu; неекранований; ПВХ

12264,33 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
CSA AWM I A/B FT1; UL 20267; UL CL2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

2,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Роз’єм: провід-провід; вилка; гніздовий; PIN: 8; прямий; на панель
Роз’єм: провід-провід; вилка; гніздовий; PIN: 8; прямий; на панель

112,14 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
8
Клас горючості:
UL94V-0
Діод: зенера; 0,35Вт; 11В; SMD; SOT23; одиночний діод
Діод: зенера; 0,35Вт; 11В; SMD; SOT23; одиночний діод

0,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
11В
Корпус:
SOT23
Недоступний
Резистор: thick film; 4,64кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 4,64кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 600ppm/°C
Резистор: thick film; 1,5Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 600ppm/°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

24,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223