Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; Idm: 72А; 83Вт; TO252

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO18N20T2
51,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO18N20T2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 72А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 25В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 25В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 01005

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 0402

1,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
68Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 10кВ; Y6P; ±20%; THT; 12,5мм
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 10кВ; Y6P; ±20%; THT; 12,5мм

76,66 грн

Діелектрик:
Y6P
Допуск:
±20%
Ємність:
1нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 332Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 332Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Датчик: рівня; G 3/4"; 10÷30ВDC; IP65,IP67,Nema 4X; рідини; FTL31
Датчик: рівня; G 3/4"; 10÷30ВDC; IP65,IP67,Nema 4X; рідини; FTL31

12795,25 грн

Вид виходу 1:
PNP
Вид датчика:
вібраційний
Використання:
рідини
Додаткові функції:
приварний адаптер
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223