1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 24А; Idm: 120А; 90Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 24А; Idm: 120А; 90Вт; TO252
Немає в наявності
Код товару: WMO50N20JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: WMO50N20JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 90Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 138нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

2,43 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: контролер PoE; RGMII; HSBGA260; Ch: 4; лоток; 0÷100°C
IC: контролер PoE; RGMII; HSBGA260; Ch: 4; лоток; 0÷100°C

1466,04 грн

Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
RGMII
Кількість каналів:
4
Корпус:
HSBGA260
Недоступний
Резистор: thin film; 82,5Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 82,5Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Двигун: DC; з передачею; HP; 6ВDC; 1,6А; Вісь: насічка D; 150: 1
Двигун: DC; з передачею; HP; 6ВDC; 1,6А; Вісь: насічка D; 150: 1

1293,72 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вид двигуна:
з передачею
Двосторонній вал:
так
Діаметр валу:
3мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

3,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD