Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,1А; 3,6Вт; PQFN5X6

Немає в наявності
Код товару: IRFH5020TRPBF
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: IRFH5020TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Корпус: PQFN5X6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 200В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,6Вт
Струм стока: 5,1А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 681кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 681кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 10А; Iвих: 5А; 50÷60Гц; 62x40x78мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 10А; Iвих: 5А; 50÷60Гц; 62x40x78мм

1740,37 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
10А
Клас точності:
0,5 @max 2,5ВА; 1 @max 5ВА
Конденсатор: керамічний; 0,022мкФ; 50ВDC; X8R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 0,022мкФ; 50ВDC; X8R; ±5%; SMD; 0805

11,78 грн

Діелектрик:
X8R
Допуск:
±5%
Ємність:
22нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 15pin,D-Sub HD 26pin; 9мм
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 15pin,D-Sub HD 26pin; 9мм

432,72 грн

Діаметр проводу макс.:
9мм
Застосування роз’ємів:
D-Sub 15pin; D-Sub HD 26pin
Матеріал корпусу:
метал
Модель роз’єму:
екранований
Недоступний
Резистор: thick film; 28,7Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 28,7Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; 0,75Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP
Перетворювач: DC/DC; 0,75Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP

174,23 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
227мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Зовнішні розміри:
11,53x6,1x7,46мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
12,9нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
LFPAK33; SOT1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 25А; Idm: 100А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 25А; Idm: 100А; 64Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669