Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 50А; Idm: 240А; 180Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: WMO85N20JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: WMO85N20JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 13,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 180Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 160нс
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; 1,2кВт; Uвих: 48В; 25А; OUT: 1; CUS1200M
Блок живлення: імпульсний; 1,2кВт; Uвих: 48В; 25А; OUT: 1; CUS1200M

22787,66 грн

Використання:
медичні програми; промисловість
Вихідна напруга:
48В
Вихідний струм:
25А
Відповідність стандарту:
CE
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RC; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Кінцевий датчик; штовхач з металевим роликом Ø12,4мм; PG13,5
Кінцевий датчик; штовхач з металевим роликом Ø12,4мм; PG13,5

12543,73 грн

Вид головки:
штовхач з металевим роликом Ø12,4мм
Клас герметичності:
IP66
Конфігурація виходу:
NC x2 + NO x2
Підключення:
PG13,5
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,25 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8