Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4,8А; 680мВт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMN2310U-7
12,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2310U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,7нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,68Вт
Струм стока: 1,2А
Струм стоку в імпульсі: 4,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 1

749,49 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 12; М12 "папа",М12 "мама"; вилка
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 12; М12 "папа",М12 "мама"; вилка

2714,14 грн

Engineering PN:
M12 Cable Assembly A-cod st/st f/m 7,5m
Довжина проводу:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
12
Недоступний
Перемикач: DIP-SWITCH; OFF-ON; Поз: 3; THT; -30÷85°C; 50мОм; ADE
Перемикач: DIP-SWITCH; OFF-ON; Поз: 3; THT; -30÷85°C; 50мОм; ADE

0,00 грн

Виводи:
для друку
Загальна довжина:
9,6мм
Кількість всіх позицій:
3
Конфігурація контактів:
SPST
Недоступний
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD