Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,3А; 0,625Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ZXM61N02FTA
29,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXM61N02FTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,24Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,625Вт
Струм стока: 1,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 1

327,55 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898; IEC EN 60947-2
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Діод: випрямний; SMD; 1А; 980мВ; Ifsm: 25А; Ir: 10мкА
Діод: випрямний; SMD; 1А; 980мВ; Ifsm: 25А; Ir: 10мкА

3,93 грн

Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
0,98В
Структура напівпровідника:
одиночний діод
Струм витоку:
10мкА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,17 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; LQFP64; 32кБRAM,128кБFLASH; DALI
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; LQFP64; 32кБRAM,128кБFLASH; DALI

148,89 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; IrDA; Smart Card; SMBus; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
60
Недоступний
Генератор; 10МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC; -40÷105°C
Генератор; 10МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC; -40÷105°C

74,76 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V

100,10 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD