1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,8А; Idm: 11А; SOT23,TO236AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,8А; Idm: 11А; SOT23,TO236AB
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PMV65UNER
15,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMV65UNER
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 108мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 1,8А
Струм стоку в імпульсі: 11А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

1,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

3,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 25МГц; VQFN48; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6В
IC: мікроконтролер MSP430; 25МГц; VQFN48; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6В

159,02 грн

Вид архітектури:
MSP430
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART
Кількість таймерів 16бит:
4
Корпус:
VQFN48
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 20А; CB; 2Вт; 15мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 20А; CB; 2Вт; 15мс

296,50 грн

Виводи:
конектори
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
26x22x25мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: thick film; 45,3кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 45,3кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

0,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 2,7Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 2,7Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C

0,80 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
12,9нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
LFPAK33; SOT1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 25А; Idm: 100А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 25А; Idm: 100А; 64Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669