Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT323

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJC7404_R1_00001
7,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJC7404_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,6нКл
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 1А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5ВDC; 0,3÷1А; VQFN32; SMD
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5ВDC; 0,3÷1А; VQFN32; SMD

141,28 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь; блок живлення eMPU
Вихідний струм:
0,3...1А
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 63,4Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 63,4Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: metal film; 576Ом; ±0,1%; 15ppm/°C; осьові; L: 7,2мм
Резистор: metal film; 576Ом; ±0,1%; 15ppm/°C; осьові; L: 7,2мм

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 806Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 806Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

3,12 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223