Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,8А; Idm: 10А; 700мВт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM02N28M
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM02N28M
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,7Вт
Струм стока: 2,8А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 1,2кВ; 60А; Ifsm: 550А; TO247AC Modified; туба
Діод: випрямний; THT; 1,2кВ; 60А; Ifsm: 550А; TO247AC Modified; туба

236,32 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO247AC Modified
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 14Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 14Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Сенсорний перемикач; Il. кнопка: 10; чорний
Сенсорний перемикач; Il. кнопка: 10; чорний

3381,91 грн

Властивості перемикачів:
потрійний
Кількість кнопок:
10
Колір:
чорний
Режими роботи:
бістабільний
Недоступний
Діод: TVS; 0,15кВт; 26,7÷29,5В; 3,9А; односпрямована; SOD323HE
Діод: TVS; 0,15кВт; 26,7÷29,5В; 3,9А; односпрямована; SOD323HE

2,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
24В
Корпус:
SOD323HE
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: metal film; 182мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 182мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,81 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 8кВ; Uce: 70В; DIP4
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 8кВ; Uce: 70В; DIP4

27,24 грн

CTR@If:
80-160%@1mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP4
Недоступний
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; HVSON8; -40÷150°C
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; HVSON8; -40÷150°C

69,06 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
Silent mode
Інтерфейс:
CAN
Кількість каналів:
1
Корпус:
HVSON8
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD