1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,2А; Idm: 30А; 780мВт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,2А; Idm: 30А; 780мВт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: DMG3414UQ-7
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG3414UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 9,6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 37мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,78Вт
Струм стока: 3,2А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 130кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 130кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Connector: wire-board; male; data; Inom: 4A; 2.5mm; Imax: 6.5A
Connector: wire-board; male; data; Inom: 4A; 2.5mm; Imax: 6.5A

180,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT; паяння
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Обійма; під круглий провід; Вим: 152x141x143мм; trefoil; -40÷60°C
Обійма; під круглий провід; Вим: 152x141x143мм; trefoil; -40÷60°C

1203,12 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
під круглий провід
Відповідність стандарту:
IEC 61914-2021
Діаметр проводу:
55...62мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
1,23нКл
Корпус:
SOT563
Недоступний
IC: аналоговий перемикач; SPDT; Ch: 4; VQFN16; 1,65÷4,3ВDC
IC: аналоговий перемикач; SPDT; Ch: 4; VQFN16; 1,65÷4,3ВDC

52,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Кількість каналів:
4
Конфігурація виходу:
SPDT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
11,1нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Модель:
ESD