Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,7А; 0,94Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMN2056U-7
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2056U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,94Вт
Струм стока: 3,7А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 0,25м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 0,25м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG

427,65 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
F/UTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Резистор: thick film; 7,32Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 7,32Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; 12÷48ВDC,72ВDC; 15кА
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; 12÷48ВDC,72ВDC; 15кА

1813,86 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1; IEC EN 60947-2
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 кутова вилка лева; 10м; тросик
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 кутова вилка лева; 10м; тросик

5826,79 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Connector: wire-board; socket; male; data; Mini-Fit Jr; PIN: 4; 9A
Connector: wire-board; socket; male; data; Mini-Fit Jr; PIN: 4; 9A

27,24 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
5566-04A-210
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 220Ом; 2512; 2Вт; ±5%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 220Ом; 2512; 2Вт; ±5%; RC; -55÷155°C

3,67 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Опір:
220Ом
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD