Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 350мА; 400мВт; X2-DFN1310-6

Немає в наявності
Код товару: DMN2005DLP4K-7
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2005DLP4K-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: X2-DFN1310-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 0,35А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 4,53кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,53кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Роз’єм: живлення AC; штекерний; роз'єм живлення; вилка; 2P+PE
Роз’єм: живлення AC; штекерний; роз'єм живлення; вилка; 2P+PE

91,23 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP20
Резистор: thick film; 22Ом; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 22Ом; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 19; THT; angled; 1x19
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 19; THT; angled; 1x19

15,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
8,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 1,2кВ; 8А; D2PAK; Ufmax: 1,08В; Ifsm: 120А; туба
Діод: випрямний; SMD; 1,2кВ; 8А; D2PAK; Ufmax: 1,08В; Ifsm: 120А; туба

121,01 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 13,7кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW
Резистор: thick film; 13,7кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8