Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; Idm: 30А; 780мВт; TSSOP8

Немає в наявності
Код товару: DMN2019UTS-13
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2019UTS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 8,8нКл
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 31мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,78Вт
Струм стока: 4,3А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Запобіжник: плавка; керамічний,циліндровий; 2А; 660ВAC; A12FA
Запобіжник: плавка; керамічний,циліндровий; 2А; 660ВAC; A12FA

331,98 грн

Вид запобіжника:
керамічний; мініатюрний; циліндровий
Вид упаковки:
коробка
Енергія I2t:
0,89А2с
Застосування запобіжників:
захист напівпровідникових елементів
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 3; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 3; THT; straight

4,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Датчик: струму; 4,5÷5,5ВDC; IC: ACS724; 20,3x17,8мм; 0÷5А; 0,8В/А
Датчик: струму; 4,5÷5,5ВDC; IC: ACS724; 20,3x17,8мм; 0÷5А; 0,8В/А

656,36 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Діапазон вимірювання струму DC:
0...5А
Інтегральна схема:
ACS724
Напруга живлення:
4,5...5,5В DC
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

2,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,12нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 34Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 1А
Резистор: thick film; 34Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 1А

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
34Ом
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD