Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: SI2312CDS-T1-GE3
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 41,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 5,1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; I2C; 32Кx8бит; uDFN8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; I2C; 32Кx8бит; uDFN8; послідовний

28,07 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
uDFN8
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 20МГц; I2C,SPI,SSP,USART; 4÷6ВDC
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 20МГц; I2C,SPI,SSP,USART; 4÷6ВDC

477,07 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
I2C; SPI; SSP; USART
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V

70,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
11,6мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 100V

153,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 800В; If: 40А; Ifsm: 370А; THT
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 800В; If: 40А; Ifsm: 370А; THT

1014,95 грн

Виводи:
пласкі шпильки
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
GUFP
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J

1,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

1,97 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8