Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 540мА; Idm: 5А; 1Вт; TO92

Немає в наявності
Код товару: VN2224N3-G
200,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VN2224N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 240В
Опір в стані провідності: 1,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: 0,54А
Струм стоку в імпульсі: 5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1600А; Iвих: 5А; на шині струму
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1600А; Iвих: 5А; на шині струму

4197,29 грн

Вихідний струм:
5А
Властивості вимірювальних аксесуарів:
ядро з застібкою
Вхідний струм:
1,6кА
Клас точності:
0,5 @max 10ВА
Недоступний
Резистор: thick film; 1,05кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 1,05кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: відкритий колектор; Uізол: 3,75кВ; SO6
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: відкритий колектор; Uізол: 3,75кВ; SO6

0,00 грн

Вид виходу:
відкритий колектор
Вихідна напруга:
6В
Зворотна напруга макс.:
800мВ
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 36кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 36кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB