Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 16А; Idm: 90А; 89Вт; 182нс

Немає в наявності
Код товару: WMB50N25JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: WMB50N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,1нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 56мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 89Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 182нс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMD8
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMD8

169,16 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V

70,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
11,6мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; PV; 4,45x4,1x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; PV; 4,45x4,1x1,8мм

14,64 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
4,45x4,1x1,8мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 50мм; 10÷35ВDC; M80; 2м; IP65
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 50мм; 10÷35ВDC; M80; 2м; IP65

35681,75 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
50мм
Довжина відводів:
2м
Довжина гвинта:
40мм
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; AC; 50В
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; AC; 50В

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD