Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 20А; Idm: 150А; 86Вт; 198нс

Немає в наявності
Код товару: WMB87N25JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: WMB87N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 198нс
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; пригвинчуваний; 100Вт; ±5%; 38x25x9мм
Резистор: thick film; 33Ом; пригвинчуваний; 100Вт; ±5%; 38x25x9мм

974,41 грн

Виводи:
гвинти M4
Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Кількість монтажних отворів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 2,26кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,26кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 7,2ВDC; Uвих.2: -7,2ВDC; Iвих: 69мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 7,2ВDC; Uвих.2: -7,2ВDC; Iвих: 69мА

207,17 грн

Вихідна напруга:
7,2В DC
Вихідна напруга 2:
-7,2В DC
Вихідний струм:
69мА
Кількість виходів:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 820кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 820кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷40ВDC; Uвих: 1,2÷37ВDC; 1А; THT
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷40ВDC; Uвих: 1,2÷37ВDC; 1А; THT

229,35 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,2...37В DC
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Резистор: thin film; 110Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 110Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

30,60 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 1,96кОм; 1210; 500мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,96кОм; 1210; 500мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x2,6мм
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223