Транзистор: N-MOSFET; польовий; 2кВ; 3А; 520Вт; TO247HV; 420нс

Немає в наявності
Код товару: IXTH3N200P3HV
1417,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH3N200P3HV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO247HV
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 2кВ
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 420нс
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; 0402; 100мВт; RK73B; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 10кОм; 0402; 100мВт; RK73B; 200ppm/°C

0,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
10кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

15,90 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,1нФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

4,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; PF; 200В
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; PF; 200В

0,48 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 154кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 154кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
68нФ
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 25мм2; ПВХ; чорний; 100м
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 25мм2; ПВХ; чорний; 100м

904,71 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB