1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 101А; Idm: 634А; 78Вт; Power56

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 101А; Idm: 634А; 78Вт; Power56
Немає в наявності
Код товару: FDMS8820
80,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS8820
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 88нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 101А
Струм стоку в імпульсі: 634А
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель; плоска; 2x0,35мм2; проводи,DC 2,35/0,7 вилка; прямий
Кабель; плоска; 2x0,35мм2; проводи,DC 2,35/0,7 вилка; прямий

124,81 грн

Будова екрану:
неекранований
Довжина кабелю:
1,5м
Довжина контакту:
9мм
Зовнішні розміри проводу:
1,6x3,4мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; UQFN28; PIC24; 8кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; UQFN28; PIC24; 8кБSRAM

106,44 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CRC; DMAC x6; HLVD; LCD controller; PoR; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; FIFO; I2C x2; I2S; IrDA; JTAG; LIN; PMBus; PPS; RS232; RS485; SPI x2; UART x4
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 24,4÷26,9В; 423А; односпрямована; SPD4; розсипний
Діод: TVS; 15кВт; 24,4÷26,9В; 423А; односпрямована; SPD4; розсипний

1400,15 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
22В
Корпус:
SPD4
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,00 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
220пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; AS; 150В
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; AS; 150В

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8