Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 120А; Idm: 664А; 125Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRLB8314PBF
88,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 664А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Потенціометр: монтажний; 500кОм; однообертовий; горизонтальний
Потенціометр: монтажний; 500кОм; однообертовий; горизонтальний

51,32 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Допуск:
±10%
Кут обертання електричний:
240°
Кут обертання механічний:
270°
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NQ; 200В

0,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: metal film; 15Ом; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 15Ом; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм

9,25 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 144В; 7,2А; двоспрямована; SMC; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 144В; 7,2А; двоспрямована; SMC; ролик,cтрічка

8,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
130В
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 250В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 250В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0603

4,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 4,02кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,02кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
4,02кОм
Лабораторний роз’єм: BNC; гніздовий; 50Ом; 30ВAC; 60ВDC; -65÷165°C
Лабораторний роз’єм: BNC; гніздовий; 50Ом; 30ВAC; 60ВDC; -65÷165°C

238,85 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Імпеданс:
50Ом
Матеріал:
латунь
Матеріал контакту:
берилієва мідь
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB